考夫曼射频离子源RFICP380镀制气体传感器 WO3 薄膜商易网触屏版

考夫曼射频离子源RFICP380镀制气体传感器 WO3 薄膜

2021-06-17 10:53 浏览:37

某传感器制造商为了制备出具有高结晶度、大比表面积、排列规则的纳米结构 WO₃ 薄膜, 经过对比选择, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积设备镀制 WO₃ 薄膜.

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

portant;"> 射频离子源型号	portant;"> RFICP380
portant;"> Discharge 阳极	portant;"> 射频 RFICP
portant;"> 离子束流	portant;"> >1500 mA
portant;"> 离子动能	portant;"> 100-1200 V
portant;"> 栅极直径	portant;"> 30 cm Φ
portant;"> 离子束	portant;"> 聚焦, 平行, 散射
portant;"> 流量	portant;"> 15-50 sccm
portant;"> 通气	portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
portant;"> 典型压力	portant;"> < 0.5m Torr
portant;"> 长度	portant;"> 39 cm
portant;"> 直径	portant;"> 59 cm
portant;"> 中和器	portant;"> LFN 2000

气体传感器可以将被检测气体的种类、浓度等信息转变为可测信号, 并将计算机与被检测到的信号连接口相连接, 构成自动的监控、检测和报警系统. 氧化钨薄膜可以吸附各种气体, 从而导致薄膜的电阻或光学参数的变化, 常常应用于气体传感器领域.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

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上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
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