激光直写无掩膜光刻机  
美国AMP（AdvancedMicroPatterning,LLC）公司凭借多年的光刻设备生产经验和多项无掩模曝光技术，已成为无掩模紫外光刻领域的。国内参考用户较多！  
激光直写无掩膜光刻机产品优点：  
微米和亚微米光刻,最小0.6微米光刻精度  
紫外光直写曝光,无需掩模，大幅节约了掩模加工费用  
灵活性高，可直接通过电脑设计光刻图形，并可根据设计要求随意调整。  
可升级开放性系统设计。  
按照客户要求自由配置  
使用维护简单,设备耗材价格低。  
应用范围广，目前广泛应用于半导体、生物芯片、微机电系统、传感器、微化学、光学等领域。  
曝光镜头  
•光源:200W汞灯.  
•光源寿命:>1000小时.  
•涵盖了汞灯的波段，范围宽，>510nm下对准  
衬底光照波长：  
365nm+/-5nm  
405nm+/-5nm  
435nm+/-5nm  
•波段曝光模式，可以在波段350–550nm范围内进行单次曝光.  
•像素大小PixelSizesincludedwithsystem  
1.25微米，4X物镜，(5um最小线宽)  
0.25微米，20X物镜，(1um最小线宽)  
•256级灰度识别  
•4X物镜可以在曲面构建1mm深的结构，而不用移动镜头和样品台  
•一体化的光学过滤器可以在曝光过程中保持工作.  
•可以使用掩膜板和无掩膜两种工作模式.  
•可以实现整个XY轴样品台移动范围内的大尺寸图形曝光.  
•单一在线式相机可以观测样品并聚焦样品。.  
•多像素曝光可以提供大于750000个像素处理，在一次静态曝光中.  
激光直写  
http://www.airtest.net.cn/Products-30824122.html  
https://www.chem17.com/st17159/product_30824122.html