Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀

2021-01-26 15:19 浏览:8

某半导体公司为了去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率, 同时提高晶圆的均匀度, 采用 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀.

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台.

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:

portant;"> Ф4 inch X 6片	portant;"> 基板尺寸	portant;"> < Ф3 inch X 8片 < Ф4 inch X 6片 < Ф8 inch X 1片
	portant;"> 样品台	portant;"> 样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转
	portant;"> 离子源	portant;"> 20cm 考夫曼离子源
	portant;"> 均匀性	portant;"> ±5% for 8”Ф
	portant;"> 硅片刻蚀率	portant;"> 20 nm/min
	portant;"> 温度	portant;"> <100

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

portant;"> 离子源型号	portant;"> RFICP 220
portant;"> Discharge	portant;"> RFICP 射频
portant;"> 离子束流	portant;"> >800 mA
portant;"> 离子动能	portant;"> 100-1200 V
portant;"> 栅极直径	portant;"> 20 cm Φ
portant;"> 离子束	portant;"> 聚焦, 平行, 散射
portant;"> 流量	portant;"> 10-40 sccm
portant;"> 通气	portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
portant;"> 典型压力	portant;"> < 0.5m Torr
portant;"> 长度	portant;"> 30 cm
portant;"> 直径	portant;"> 41 cm
portant;"> 中和器	portant;"> LFN 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量.

运用结果：

1. 有效去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率

2. 晶圆的均匀度得到良好提高

3. 晶圆的加工质量得到明显提高

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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