某光学元件制造商为了优化碳化硅微光学元件, 降低碳化硅微光学元件表面粗糙度, 采用 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对其进行优化.

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE技术参数:

portant;"> 基板尺寸	portant;"> < Ф8 X 1wfr
portant;"> 样品台	portant;"> 直接冷却（水冷）0-90 度旋转
portant;"> 离子源	portant;"> 16cm 考夫曼离子源
portant;"> 均匀性	portant;"> ±5% for 4”Ф
portant;"> 硅片刻蚀率	portant;"> 20 nm/min
portant;"> 温度	portant;"> <100

 

该制造商采用的 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数：

portant;">  离子源型号	portant;">  离子源 KDC 160
portant;"> Discharge	portant;"> DC 热离子
portant;"> 离子束流	portant;"> >650 mA
portant;"> 离子动能	portant;"> 100-1200 V
portant;"> 栅极直径	portant;"> 16 cm Φ
portant;"> 离子束	portant;"> 聚焦, 平行, 散射
portant;"> 流量	portant;"> 2-30 sccm
portant;"> 通气	portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
portant;"> 典型压力	portant;"> < 0.5m Torr
portant;"> 长度	portant;"> 25.2 cm
portant;"> 直径	portant;"> 23.2 cm
portant;"> 中和器	portant;"> 灯丝

* 可选: 可调角度的支架

 

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 配的是 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持刻蚀室的真空度.

其产品优势:

1.结构紧凑但功能强大的涡轮泵，用于 N₂ 时的最高抽速可达 685 l/s

2.最jia真空性能，最低功耗

3.集成的带 Profibus 的驱动电子装置 TC 400

4.可在任何方向安装

5.带有集成型水冷系统以保证最大气体流量

6.通过 M12 插接头的 Profibus 连接

7.广泛的配件扩展使用范围

 

运行结果:

1. 经过 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碳化硅微纳结构进行刻蚀, 以调控结构的线宽和深度, 使结构表面粗糙度由约106nm降低到11.8nm.

2. 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果.

 

 

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