Hakuto离子蚀刻机 20IBE-J用于陶瓷基片银薄膜减薄

Hakuto离子蚀刻机 20IBE-J用于陶瓷基片银薄膜减薄

2021-01-26 15:48 浏览:6

某陶瓷基片制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于 5G 陶瓷基片银薄膜减薄, 通过蚀刻工艺把基片涂层银薄膜刻蚀减薄, 并降低工差, 提高薄膜均匀性.

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数

portant;"> Φ4 inch X 12片	portant;"> 基片尺寸	portant;"> Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片
	portant;"> 均匀性	portant;"> ±5%
	portant;"> 硅片刻蚀率	portant;"> 20 nm/min
	portant;"> 样品台	portant;"> 直接冷却,水冷
	portant;"> 离子源	portant;"> Φ20cm 考夫曼离子源

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

portant;"> 离子源型号	portant;"> RFICP 220
portant;"> Discharge	portant;"> RFICP 射频
portant;"> 离子束流	portant;"> >800 mA
portant;"> 离子动能	portant;"> 100-1200 V
portant;"> 栅极直径	portant;"> 20 cm Φ
portant;"> 离子束	portant;"> 聚焦, 平行, 散射
portant;"> 流量	portant;"> 10-40 sccm
portant;"> 通气	portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
portant;"> 典型压力	portant;"> < 0.5m Torr
portant;"> 中和器	portant;"> LFN 2000

推荐 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 理由:

1. 客户要求规模化生产, Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 适合大规模量产使用

2. 刻蚀均匀性 5%, 满足客户要求

3. 硅片刻蚀率 20 nm/min

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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