某芯片设计机构研究部门采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层.


Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:
真空腔 1 set, 主体不锈钢,水冷 
基片尺寸 1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却, 
离子源 ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75 
离子束入射角 0 Degree～± 90 Degree 
极限真空 ≦1x10-4 Pa 
刻蚀性能 一致性: ≤±5% across 4” 

该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数：
离子源型号 离子源 KDC 75 
Discharge DC 热离子 
离子束流 >250 mA 
离子动能 100-1200 V 
栅极直径 7.5 cm Φ 
离子束 聚焦, 平行, 散射 
流量 2-15 sccm 
通气 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 
典型压力 < 0.5m Torr 
长度 20.1 cm 
直径 14 cm 
中和器 灯丝 

无论对于工艺设计, 还是生产控制或者缺陷分析, 去层分析是一种重要手段, 芯片本身多层结构（Passivation, metal, IDL）可一层一层去除, 也就是芯片去层（Delayer）, 通过层次去除（Delayer）可逐层检视是否有缺陷, 并可提供后续实验, 清楚呈现出每一层电路布线结构.

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王

T: +86-21-5046-1322                      T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw
伯东版权所有, 翻拷必究!
伯东 Pfeiffer 质谱分析仪与化学吸附仪联用
伯东 Pfeiffer 质谱分析仪 ThermoStar 与耐驰热重仪(TGA)联用
回到列表