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上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源, 离子束可聚焦, 平行, 散射.
离子束流: >100 mA~1500mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000.
采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求.
离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装
美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列 技术参数：
射频离子源 RFICP 系列技术参数:
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型号 |
RFICP 40 |
RFICP 100 |
RFICP 140 |
RFICP 220 |
RFICP 380 |
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Discharge |
RFICP 射频 |
RFICP 射频 |
RFICP 射频 |
RFICP 射频 |
RFICP 射频 |
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离子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
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栅极直径 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
20 cm Φ |
30 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
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长度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
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直径 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列 应用领域：
伯东 KRI 射频离子源 RFICP系列离子源应用:
1. 离子辅助镀膜 IBAD( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
2. 离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
3. 表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
4. 离子溅镀IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
5. 离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)
