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上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 2000 特别适合大中型真空系统, 带有水冷方式, 低成本设计提供高离子电流. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000 产品特性：
伯东 KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性：
1.水冷 - 与 KRI 霍尔离子源 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流
2.可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
3.宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
4.多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便
5.高效的等离子转换和稳定的功率控制
美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数：
伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列在售型号及技术参数:
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离子源型号
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霍尔离子源
eH2000 |
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Cathode/Neutralizer |
F or HC |
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电压 |
50-300V |
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电流 |
10A |
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散射角度 |
>45 |
| 可充其他 | Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others |
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气体流量 |
2-75sccm |
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高度 |
4.0“ |
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直径 |
5.7“ |
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水冷 |
是 美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000 应用领域：伯东 KRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域： 1. 离子辅助镀膜 IAD 2. 预清洗 Load lock preclean 3. 预清洗 In-situ preclean 4. Direct Deposition 5. Surface Modification 6. Low-energy etching 7. III-V Semiconductors 8. Polymer Substrates |
