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上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 100, 离子束可聚焦, 平行, 散射.
KRI 射频离子源属于大面积射频离子源, 离子束流: >350 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000. 流量(Typical flow):5-30 sccm
采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.
离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.
适用于离子溅镀和离子蚀刻, 实现完美的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀.
美国 KRI 射频离子源 RFICP 100 技术参数：
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 100 技术参数:
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型号 |
RFICP 100 |
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Discharge |
RFICP 射频 |
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离子束流 |
>350 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
10 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
5-30 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
23.5 cm |
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直径 |
19.1 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
美国 KRI 射频离子源 RFICP 100 应用领域：
伯东KRI 考夫曼离子源 RFICP 100 应用领域:
1. 预清洗
2. 表面改性
3. 辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,
4. 溅镀和蒸发镀膜 PC
5. 离子溅射沉积和多层结构 IBSD
6. 离子蚀刻 IBE
