耗尽型MOS管(P沟道)
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供应ABB IGBT模块—5SNA 1500E330305
更新时间:2023-10-30 09:57 免费会员
武汉科美芯电气有限公司
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VCE=3300V
IC=1500A

超低损耗、坚固耐用的SPT+芯片组

平滑切换SPT+芯片组,实现良好的EMC

用于高功率循环能力AlSiC基板

用于低热阻的AlN衬底

改进的高可靠性封装

根据UL1557认证,文件E196689

我们提供多样化的功率半导体产品组合,包括功率范围为 150 安至 13500 安和 200 伏至 8500 伏的 GTO、IGBT、IGCT、晶闸管和二极管。 如今,我们多样化的半导体系列确保电动汽车和火车平稳运行,发电,风力涡轮机可靠运转。

ABB IGBT 功率模块有单相、双相/相臂、斩波器 IGBT 和双二极管模块,电压范围为 1700 至 6500 伏。高功率 HiPak IGBT 模块具有低损耗、软开关性能和破纪录的作业区 (SOA)。新推出的 62Pak 和 LoPak 快速开关中功率 IGBT 模块具有的开关损耗、全 175°C 运行、正方形 SOA 以及可插入式更换的标准封装。

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