IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET 特性 ·第二代碳化硅MOSFET技术与+18V门驱动 ·高阻塞电压与低电阻 ·高速开关与低电容 ·高操作结温度能力 ·非常快速和健壮的内在身体二极管 ·开尔文门输入缓解驱动电路设计应用 应用 ·电动电机驱动 ·太阳能逆变器 ·高压直流/直流转换器 ·开关模式电源 |

更新时间:2024-08-23 18:03 免费会员
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IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET 特性 ·第二代碳化硅MOSFET技术与+18V门驱动 ·高阻塞电压与低电阻 ·高速开关与低电容 ·高操作结温度能力 ·非常快速和健壮的内在身体二极管 ·开尔文门输入缓解驱动电路设计应用 应用 ·电动电机驱动 ·太阳能逆变器 ·高压直流/直流转换器 ·开关模式电源 |