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进店逛逛| N沟道增强型MOSFET TDM3452 |
| 描述 |
| TDM3452采用先进的沟槽技术 |
| 提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 |
| 这个器件适合用作负载开关或PWM应用。 |
| 一般特征 |
| RDS（ON）<5.1mΩ@ VGS = 4.5V |
| RDS（ON）<3.1mΩ@ VGS = 10V |
| 高功率和电流处理能力 |
| 提供无铅产品 |
| 表面贴装封装 |
| 应用 |
| PWM应用 |
| 负载开关 |
| 电源管理 |
更新时间：2019-01-23 15:11 免费会员
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- 规格参数
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推荐产品
| N沟道增强型MOSFET TDM3452 |
| 描述 |
| TDM3452采用先进的沟槽技术 |
| 提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 |
| 这个器件适合用作负载开关或PWM应用。 |
| 一般特征 |
| RDS（ON）<5.1mΩ@ VGS = 4.5V |
| RDS（ON）<3.1mΩ@ VGS = 10V |
| 高功率和电流处理能力 |
| 提供无铅产品 |
| 表面贴装封装 |
| 应用 |
| PWM应用 |
| 负载开关 |
| 电源管理 |