| N通道增强型MOSFET TDM3482 |
| 描述 |
| 该TDM3482采用先进的沟槽技术 |
| 提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 |
| 这个装置是适合用作负载开关或在PWM应用。 |
| 一般特征 |
| RDS(ON)<13.5mΩ@ VGS = 4.5V |
| RDS(ON)<9.5mΩ@ VGS =10V |
| 高功率和电流处理能力 |
| 获得无铅产品 |
| 表面贴装封装 |
| 应用 |
| PWM应用 |
| 负载开关 |
| 电源管理 |

更新时间:2019-01-26 10:51 免费会员
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| N通道增强型MOSFET TDM3482 |
| 描述 |
| 该TDM3482采用先进的沟槽技术 |
| 提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 |
| 这个装置是适合用作负载开关或在PWM应用。 |
| 一般特征 |
| RDS(ON)<13.5mΩ@ VGS = 4.5V |
| RDS(ON)<9.5mΩ@ VGS =10V |
| 高功率和电流处理能力 |
| 获得无铅产品 |
| 表面贴装封装 |
| 应用 |
| PWM应用 |
| 负载开关 |
| 电源管理 |