| N通道增强型MOSFET TDM3482 | 
| 描述 | 
| 该TDM3482采用先进的沟槽技术 | 
| 提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 | 
| 这个装置是适合用作负载开关或在PWM应用。 | 
| 一般特征 | 
| RDS(ON)<13.5mΩ@ VGS = 4.5V | 
| RDS(ON)<9.5mΩ@ VGS =10V | 
| 高功率和电流处理能力 | 
| 获得无铅产品 | 
| 表面贴装封装 | 
| 应用 | 
| PWM应用 | 
| 负载开关 | 
| 电源管理 | 

 更新时间:2019-01-26 10:51 免费会员 
    
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| N通道增强型MOSFET TDM3482 | 
| 描述 | 
| 该TDM3482采用先进的沟槽技术 | 
| 提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 | 
| 这个装置是适合用作负载开关或在PWM应用。 | 
| 一般特征 | 
| RDS(ON)<13.5mΩ@ VGS = 4.5V | 
| RDS(ON)<9.5mΩ@ VGS =10V | 
| 高功率和电流处理能力 | 
| 获得无铅产品 | 
| 表面贴装封装 | 
| 应用 | 
| PWM应用 | 
| 负载开关 | 
| 电源管理 |